隨著納米技術的應用日益頻繁，各種納米材料廣泛應用于各類產品當中。碳納米管（CNT）是使用最廣泛的納米材料之一，其年生產量高達上千噸。其生產過程通常會用到金屬催化劑，因此碳納米管表面可能殘留金屬納米粒子。

       測量碳納米管上的金屬含量是一項極大的挑戰。XRF 最大的缺陷是它測量的是樣品的金屬總量，而不是單根或若干根碳納米管上的金屬。TEM 可以測量單根碳納米管上的金屬或納米粒子，但過程十分緩慢冗長，一天之內只能測量少數幾個碳納米管樣品。傳統的 ICP-OES 和 ICP-MS 分析缺陷是它們需要完全消解碳納米管，而鑒于其化學惰性，這將是一項巨大的挑戰。

       單顆粒 ICP-MS（SP-ICP-MS），無需樣品消解，通過監測瞬態金屬信號即可實現金屬量的半定量測量。SP-ICP-MS 還可以在一分鐘之內分別對上千根碳納米管進行快速測量，從而預估粒子的個數和含量。

       使用SP-ICP-MS技術，可在無需消解碳納米管（一個冗長繁瑣的過程）的情況下準確量化碳納米管中的金屬雜質。使用金屬雜質的含量可以推測單壁碳納米管的計數濃度，有效拓展了 ICP-MS 在納米材料領域的應用。